报告题目(英文) ：

2D Materials: from Semiconductors to Topological Insulators

报告内容简介 ：

Since the first isolation of one-atom-thick two-dimensional (2D) graphene crystal, research on 2D van der Waals (vdW) materials with layered crystal structures have exploded. One notable success in the recent studies of 2D materials beyond graphene is the development of the transition metal dichalcogenide family of vdW materials (e.g. MoS₂) as 2D semiconductors. In this talk, we will first present our recent work on 2D semiconductors InSe and SnS from the family of non-transition metal-based III-VI and IV-VI monochalcogenides. While InSe is demonstrated to be a promising new 2D semiconductor for high-performance n-type transistor devices, SnS's intrinsic p-type nature leads to both opportunities and challenges for p-type semiconductor device applications. Moving further in the periodic table, we discuss V-VI chalcogenides (Bi₂Se₃, Bi₂Te₃, etc) where the strong spin-orbit interaction induces a band-inversion effect, turning the 2D vdW material into the so-called topological insulator, a novel quantum state of matter where metallic gapless surface states coexist with the insulating bulk.

报告人姓名 ：

高翾

报告人简介(中文) ：

高翾，1998年本科毕业于华南理工大学，同年赴美国哥伦比亚大学攻读博士学位，并于2003年获得博士学位。2003年至2007年，高翾博士先后在洛斯阿拉莫斯国家实验室和哈佛大学从事博士后研究，并在2007 年成为美国凯斯西储大学物理系助理教授，2013 获得终身职位（tenure），2018年晋升正教授。现为凯斯西储大学特聘讲座教授（Ohio Eminent Scholar Endowed Chair Professor）。高翾教授的研究领域主要包括（1）低维（特别是2D和1D）半导体量子结构中的电子、自旋和能量输运；（2）关联电子系统中的涌现现象；（3）凝聚态中的拓扑保护效应、物质的拓扑状态和相变；（4）石墨烯以外的纳米线和二维范德华材料的合成、功能工程和基础研究；纳米器件在电子、光电子、能量转换和生物传感方面的应用。高翾教授已在国际著名期刊发表90余篇学术论文，其中包括1篇Nature、1篇Nature Materials、1篇Reviews of Modern Physics、8篇Physical Review Letters和13篇Nano Letters，并应邀在Reviews of Modern Physics撰写强关联二维电子流体的输运的综述报告。此外，高翾博士曾多次在国际会议做邀请报告并获得多个国际奖项及荣誉，其中包括IOCPA的杰出青年科学家奖。

报告人单位(中文) ：

美国 凯斯西储大学

报告人单位(英文) ：

Case Western Reserve University

报告时间 ：

2024-12-25 10:00

报告地点 ：

延长校区轴承楼303

主办单位 ：

上海大学

联系人：

杜娟