报告题目：LSCO薄膜中氧离子的迁移与相变
报 告 人：中国科学院物理研究所 王建涛 研究员
报告摘要：利用栅压驱动离子胶体 (IG)中O2-离子迁移，可对La0.5Sr0.5CoOx (LSCO)薄膜进行插入(-3V)/抽取(+2V) O2-离子的固-固界面电化学调控，实现LSCO薄膜在钙钛矿(P)和钙铁石(B)两个稳定结构相间可逆拓扑学相变，以及金属↔绝缘体的电性转变，铁磁↔反铁磁的磁性转变。STEM微结构分析发现+2V调控的相中存在周期性排列两个子层，其A位原子间距有0.5Å差异，对应氧八面体层和四面层交替排列(B-LSCO)，而在-3V调控后的相中所有子层无差异(P-LSCO)。进而发现在不同衬底上压应变可有效降低晶格在B-P两相间相变的能量势垒，使O2-离子迁移更易进行，提高IG调控的可逆转变效率。报告将从理论计算和实验两方面系统地阐述其相变机制和物性。
报告人简介：王建涛，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。1990年到日本留学，在日本东北大学取得材料物理学士、硕士、博士学位。曾任日本学术振兴会特别研究员。2002年回国后，历任中科院物理所副研究员、科技处处长、研究员等职。2015年起兼任中国科学院大学讲座教授，主讲《固体理论》。主要从事合金磁性、高压相变、表面重构以及拓扑物性的第一性原理计算研究。在PRL、PRX、JACS、Nano Letters等刊物上发表学术论文200余篇。“硅表面纳米团簇分解新机制”被选为“2006年中国重大科学进展”。
时间：2026-01-20,14:00；
地点：上海大学东校区基因组工程研究院7号楼508；
邀请人：施思齐 教授
